مقاله ترجمه شده انگلیسی به فارسی عنوان انگلیسی: The High-Frequency Performance of Hetero-Material-Gate  CNTFETs with Gate Underlap عنوان فارسی: عملکرد فرکانس بالای CNTFET های گیت مواد هترو (دریچه مواد ناجور) در گیت آندرلپ   چکیده:   برای اولین بار، نوع جدیدی از ترانزیستور اثرمیدان نانولوله کربن ( CNTFET )، گیت مواد هترو (ناجور) ( HMG ) در آندرلپ پیشنهاد و با استفاده از مدل کوانتوم شبیه شده است که بر اساس تابع گرین غیرمتعادل دوبعدی ( NFGF ) در معادله پواسون می باشد. ...